Учебная работа № 00688. «Диплом Аудит по НДС
Содержание:
ВВЕДЕНИЕ2
Глава 1. Теоретические основы организации аудита по НДС6
1.1. Цели, задачи и основные принципы проведения аудита налогооблажения6
1.2. Нормативно-правовое регулирование аудита расчетов по НДС16
1.3. Технико-экономическая характеристика ООО «Пауэр Интернэшнл-шины»28
Глава 2. Методика проведения аудиторской проверки32
2.1. Подготовка к проведению аудиторской проверки32
2.2. Этапы проведения аудиторской проверки45
2.3. Планирование аудиторской проверки51
Глава 3. Проведение аудита расчетов по НДС на примере ООО «Пауэр Интернэшнл-шины»56
3.1. План и программа аудита расчетов по НДС56
3.2. Аудиторская проверка расчетов по НДС57
3.3. Отчет аудитора по результатам проведения аудита61
Заключение63
Список литературы67
Выдержка из подобной работы:
….
Дифференциальный усилитель
……….6
4.
Выбор
подложки………………………………………………8
5.
Технологический
маршрут……………………………….8
6.
Выбор корпуса
ГИС…………………………………………8
7.
Оценка
надежности………………………………………….9
8.
Список
литературы………………………………………….11
Задание
на разработку гибридной интегральной микросхемы
частного применения.
Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель предназначен для усиления
сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.
Схема электрическая принципиальная:
Смотрите на следующей странице .
Рисунок
1 : Схема электрическая принципиальная
Технические требования:
Микросхема должна соответствовать общим техническим
требованиям и удовлетворять следующим условиям:
–
повышенная предельная
температура +85°С;
–
интервал рабочих
температур -20°С…+80°С;
–
время работы 8000
часов;
–
вибрация с частотой до
100 Гц минимальное ускорение 4G;
–
линейное ускорение до
15G.
Исходные данные для проектирования:
1.
Технологический процесс
разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук.
2.
Конструкцию ГИС
выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением
тонкоплёночной технологии в одном корпусе.
3.
Значения параметров:
Позиционное обозначение:
Наименование:
Количество:
Примечание:
R1 R3 R5
резистор 4КОм±10%
{
w[] || [];
w[h {
asy:
});
});
[0];
})h .d
Р=3 4мВт
R2
резистор 1 8КОм±10%
1
Р2=5 8мВт
R4
резистор 1 7КОм±10%
1
Р4=2 2мВт
R6
резистор 5 7ком±10%
1
Р6=2 6мВт
V4
транзистор КТ318В
2
Р=8мВт
V3
транзистор КТ354Б
1
Р=7мВт
Напряжение источника питания: 6 3 В±10%.
Сопротивление нагрузки не менее: 20 КОм.
1. Анализ технического задания.
Гибридные ИМС – это интегральные схемы в которых применяются
плёночные пассивные элементы и навесные элементы называемые компонентами ГИС. Электрические связи
между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или
проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически
целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных
устройств и другой аппаратуры.
Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет.
Условия эксплуатации изделия нормальные.
2. Выбор материалов расчёт элементов выбор навесных
компонентов.
В качестве материала подложки выберем ситалл СТ50-1.
Транзисторы выберем как навесные компоненты.
V4-КТ318В
V3-КТ354Б.
По мощностн»